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저온에서 나노와이어 제조 기술 개발

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저온에서 나노와이어 제조 기술 개발

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저온에서 나노와이어를 만들 수 있는 기술을 국내 학자들이 개발했다. 충남대 윤순길 교수팀은 저온에서 화학기상증착법(CVD)을 이용하여 상변화메모리 재료의 박막과 나노와이어를 제조할 수 있는 메커니즘을 규명했다고 3일 밝혔다. 이 연구에는 윤 교수를 포함해 △안준구 박사과정(제1저자, 충남대) △박경우 석사과정(충남대) △정현준 석사과정(충남대) 학생이 참여했다. 특히 연구결과는 과학저널인 ‘나노레터스(Nano Letters)’지 지난해 12월 29일(화)자 온라인 판에 게재되었다. 기존의 나노와이어들이 500도 이상의 높은 온도에서 촉매 반응을 이용해 만들었던 반면, 연구팀은 이번에 촉매 없이 250도 정도의 저온에서 압력을 변화시켜 IST(In-Sb-Te) 나노와이어를 만드는데 성공했다. 이렇게 만든 나노와이어를 이용하여 메모리 소자의 특성을 구현한 결과, 약 1.6V에서 문턱전압을 나타내었고, 특히 멀티 레벨의 메모리 구동 가능성도 확인할 수 있었다. 윤 교수는 “이번 연구는 순수 국내 연구진이 박막과 나노와이어를 제조할 수 있는 원천 공정기술을 개발하였다는 점에서 의미가 있다”며 “차세대 비휘발성 멀티 레벨 메모리 개발의 가능성을 열 수 있을 것”이라고 밝혔다.

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