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M램은 속도 느려 못 쓴다고? 제약 깬 새로운 M램 개발

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M램은 속도 느려 못 쓴다고? 제약 깬 새로운 M램 개발

2016.07.13 18:00

신소재 이리듐-망간을 사용하자 외부 자기장 없이도 자성메모리가 작동할 수 있게됐다. 그 결과, 집적도와 처리속도가 빨라졌다. - KAIST, 고려대 제공 제공
신소재인 이리듐-망간을 사용하자 외부 자기장 없이도 자성메모리가 작동할 수 있게 됐다. 그 결과 집적도와 처리 속도가 빨라졌다. - KAIST, 고려대 제공

국내 연구팀이 집적도와 처리 속도라는 두 마리 토끼를 잡을 수 있는 차세대 메모리의 핵심소자를 개발했다.


박병국 KAIST 교수팀과 이경진 고려대 교수팀은 공동으로 자성을 이용하는 자성메모리(M램)의 속도와 집적도를 동시에 높이는 소재 기술을 개발했다고 13일 밝혔다.


M램은 전원이 없으면 정보를 잃는 기존의 S램과 달리, 전원이 연결돼 있지 않아도 정보를 저장할 수 있어 전력 효율을 높일 수 있다. 가령 스마트폰에 M램을 사용하면 S램을 사용할 때보다 전력소모가 낮아 더 오래 사용할 수 있다.

 

하지만 최근 S램의 처리 속도가 비약적으로 발달해 있는 만큼 M램의 처리 속도가 상대적으로 느리고 집적도가 낮아 덩치가 크다는 단점이 있었다. M램을 상용화한 해외 제조사가 있지만 이런 단점 때문에 시장 규모는 아직 작다.


연구팀은 기존에 M램을 만드는 데 사용했던 백금 소재 대신 이리듐-망간 합금 소재를 이용해 이런 문제를 해결했다. M램은 정보를 저장하는 데 외부의 자기장을 사용했는데, 새 소재를 이용하자 외부 자기장 없이도 저장이 가능해졌다. 덕분에 처리 속도와 집적도가 모두 높아졌다. 처리 속도는 기존 M램의 10배로 빨라져 현재 S램과 대동소이한 수준이 됐다.


이 교수는 “이번 기술은 현재 하이닉스와 삼성에서 개발 중인 고집적 M램의 다음 세대에 해당하는 메모리 기술이 될 것”이라며 “전력 소모가 낮은 장점을 이용해 모바일 기기, 웨어러블 기기 등에 활발하게 응용될 것으로 기대된다”고 밝혔다.


연구결과는 ‘네이처 나노테크놀로지’ 11일자에 실렸다.

 

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