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김기남 삼성전자 사장 "10나노 D램 개발 가능하다"

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김기남 삼성전자 사장 "10나노 D램 개발 가능하다"

2016.04.06 11:48
수요사장단협의 참석 전 D램 개발 자신감 드러내

김기남 삼성전자 반도체총괄 사장이 10나노 초반대의 D램 개발이 가능하다는 입장을 나타냈다.

김 사장은 6일 삼성 서초사옥에서 열린 수요사장단협의회에 참석하기 전 기자들과 만난 자리에서 10나노 초반대 D램 개발도 무난할 것이란 질문에 "그렇게 될 것"이라고 답했다.

김 사장은 수년 전부터 "반도체 기술에 있어 한계란 없다"는 입장을 고수하고 있다.

삼성전자는 전날 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급(1나노 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산했다고 밝혔다.

10나노급 8Gb DDR4 D램은 초고속·초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비 동작속도가 30% 이상 빠른 3200Mbps를 구현할 수 있고, 동작 상태에 따라 소비전력을 10%~20% 절감할 수 있다.

특히 삼성전자는 미세공정의 한계를 극복하기 위해 낸드플래시 양산에 적용한 '사중 포토 노광 기술'을 업계 최초로 D램에도 구현, D램 핵심 공정 기술의 새로운 지평을 열었다고 평가받고 있다. 

 

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